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Comchip Technology CDBDSC5650-G
| Artikelnummer: | CDBDSC5650-G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Comchip Technology |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 650V 21.5A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 1+ | $2.34 |
| 10+ | $2.103 |
| 100+ | $1.6902 |
| 500+ | $1.3886 |
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Comchip Technology CDBDSC5650-G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CDBDSC5650-G.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 5 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device-Gehäuse DPAK Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100 µA @ 650 V Strom - Richt (Io) 21.5A Kapazität @ Vr, F 424pF @ 0V, 1MHz Grundproduktnummer CDBDSC5650 CDBDSC5650-G Einzelheiten PDF [English] CDBDSC5650-G PDF - EN.pdf -
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